2N5114
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
2N5114中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 75 Ω
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 25pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
2N5114引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5114
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5114 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 500mW | 当前型号 | P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5116 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | Trans JFET P-CH | 2N5114和JANTXV2N5116的区别 |
| 型号： PMBFJ177 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | P-channel silicon field-effect transistors | 2N5114和PMBFJ177的区别 |
| 型号： PMBFJ176 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | P-channel silicon field-effect transistors | 2N5114和PMBFJ176的区别 |