2N3823
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3823中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 6pF @15VVds
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-72
外形尺寸
封装 TO-72
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N3823引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3823
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3823 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-72 300mW | 当前型号 | 技术参数 TECHNICAL DATA | 当前型号 |
| 型号： BF245A 品牌： 安森美 封装： TO-92 30V 100mA | 功能相似 | JFET VHF / UHF放大器N沟道 - 耗尽 JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel - Depletion | 2N3823和BF245A的区别 |
| 型号： BF256A 品牌： 安森美 封装： TO-92 30V 10mA | 功能相似 | JFET - 通用 JFET - General Purpose | 2N3823和BF256A的区别 |
