2N3821
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3821中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 50 V
击穿电压 50 V
输入电容Ciss 6pF @15VVds
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-72
外形尺寸
封装 TO-72
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N3821引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3821
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3821 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-72 | 当前型号 | 技术参数 TECHNICAL DATA | 当前型号 |
| 型号： MV2N3821 品牌： 美高森美 封装： TO-72 300mW | 完全替代 | Trans JFET N-CH 50V 3Pin TO-72 | 2N3821和MV2N3821的区别 |
| 型号： JANTX2N3821 品牌： 美高森美 封装： BCY 300mW | 完全替代 | Trans JFET N-CH 50V 3Pin TO-72 | 2N3821和JANTX2N3821的区别 |
| 型号： JAN2N3821 品牌： Solitron Devices 封装： TO-72 | 功能相似 | JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS | 2N3821和JAN2N3821的区别 |
