2N4858
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N4858中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 60 Ω
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 18pF @10VVds
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N4858引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N4858
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4858 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 360mW | 当前型号 | N沟道J- FET N-CHANNEL J-FET | 当前型号 |
| 型号： 2N4858A 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-206AA 360mW | 功能相似 | JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 | 2N4858和2N4858A的区别 |