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2N7002V
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V

The is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET offers low ON-resistance, low gate threshold voltage and low input capacitance.

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Fast switching speed
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Low input/output leakage
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Ultra-small surface-mount package

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


立创商城:
2个N沟道 60V 280mA


欧时:
### 增强模式双 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R


富昌:
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-563F


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002V  Dual MOSFET, Dual N Channel, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R


DeviceMart:
MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F


2N7002V中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 1.76 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

2N7002V引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N7002V Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V 搜索库存
替代型号2N7002V
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002V

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-523F Dual N-Channel

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V

当前型号

型号: 2N7002VA

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-563

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