2N5115UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
漏源极电阻 100 Ω
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 25pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
封装 SMD-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead