漏源极电阻 100 Ω
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 25pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
封装 TO-206
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5115 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-18 | 当前型号 | P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N5116 品牌: Solitron Devices 封装: | 功能相似 | Trans JFET P-CH | 2N5115和JANTXV2N5116的区别 | |
型号: PMBFJ177 品牌: 飞利浦 封装: | 功能相似 | P-channel silicon field-effect transistors | 2N5115和PMBFJ177的区别 | |
型号: PMBFJ174 品牌: 飞利浦 封装: | 功能相似 | P-channel silicon field-effect transistors | 2N5115和PMBFJ174的区别 |