频率 50 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
集电极击穿电压 35.0 V
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N5088BU | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5088BU 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5088BU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5088BU 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE | 当前型号 | |
型号: 2N5088_J61Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-226-3 NPN | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 2N5088BU和2N5088_J61Z的区别 | |
型号: 2N5088TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW | 类似代替 | NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5088BU和2N5088TA的区别 | |
型号: 2N5088 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 30V 50mA 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 2N5088BU和2N5088的区别 |