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2N5088BU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5088BU  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE

The is a 30V NPN Bipolar BJT Single Transistor, designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA. This product is general usage and suitable for many different applications.

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35V Collector to base voltage VCBO
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4.5V Emitter to base voltage VEBO
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83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
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200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
2N5088BU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

集电极击穿电压 35.0 V

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5088BU引脚图与封装图
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在线购买2N5088BU
型号 制造商 描述 购买
2N5088BU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5088BU  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE 搜索库存
替代型号2N5088BU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5088BU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5088BU  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE

当前型号

型号: 2N5088_J61Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 NPN

完全替代

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk

2N5088BU和2N5088_J61Z的区别

型号: 2N5088TA

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 30V 100mA 625mW

类似代替

NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

2N5088BU和2N5088TA的区别

型号: 2N5088

品牌: 安森美

封装: TO-92 N-Channel 30V 50mA 625mW

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