2SB1188T100Q
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -2.00 A
额定功率 2 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.50 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.50 mm
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SB1188T100Q 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE | 搜索库存 |