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23LCV512T-I/SN

23LCV512T-I/SN

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 电子元器件分类

静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

SRAM - 同步 存储器 IC 512Kb(64K x 8) SPI - 双 I/O 8-SOIC


得捷:
IC SRAM 512KBIT SPI/DUAL 8SOIC


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23LCV512T-I/SN


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静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 512K-bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
512K, 2.5V SPI SERIAL SRAM, Vbat


安富利:
SRAM Chip Sync Single 512K-Bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC Tube


23LCV512T-I/SN中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

23LCV512T-I/SN引脚图与封装图
23LCV512T-I/SN引脚图

23LCV512T-I/SN引脚图

23LCV512T-I/SN封装图

23LCV512T-I/SN封装图

23LCV512T-I/SN封装焊盘图

23LCV512T-I/SN封装焊盘图

在线购买23LCV512T-I/SN
型号 制造商 描述 购买
23LCV512T-I/SN Microchip 微芯 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat 搜索库存
替代型号23LCV512T-I/SN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 23LCV512T-I/SN

品牌: Microchip 微芯

封装: SOIC-8

当前型号

静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat

当前型号

型号: 23LCV512-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 64000B 2.5V 8Pin

完全替代

MICROCHIP  23LCV512-I/SN  芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 512KB, 2.5-5.5V, 8SOIC

23LCV512T-I/SN和23LCV512-I/SN的区别

型号: 23LCV512-I/P

品牌: 微芯

封装: DIP 64000B 2.5V 8Pin

完全替代

MICROCHIP  23LCV512-I/P  芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 512KB, 2.5-5.5V, 8PDIP

23LCV512T-I/SN和23LCV512-I/P的区别

型号: 23LCV512-I/ST

品牌: 微芯

封装: TSSOP 64000B 2.5V 8Pin

完全替代

MICROCHIP  23LCV512-I/ST  芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 512KB, 2.5-5.5V, 8TSSOP

23LCV512T-I/SN和23LCV512-I/ST的区别