23K640-E/P
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
电子元器件分类
23K640-E/P中文资料参数规格
技术参数
位数 8
存取时间Max 32 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 PDIP-8
外形尺寸
高度 3.3 mm
封装 PDIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
23K640-E/P引脚图与封装图 
23K640-E/P引脚图
23K640-E/P封装图
23K640-E/P封装焊盘图
在线购买23K640-E/P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 23K640-E/P | Microchip 微芯 | 64K SPI总线的低功耗串行SRAM 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | 搜索库存 |
替代型号23K640-E/P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 23K640-E/P 品牌： Microchip 微芯 封装： PDIP-8 | 当前型号 | 64K SPI总线的低功耗串行SRAM 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | 当前型号 |
| 型号： 23K640-I/P 品牌： 微芯 封装： DIP 1000B 2.7V 8Pin | 类似代替 | MICROCHIP 23K640-I/P 芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, PDIP8 | 23K640-E/P和23K640-I/P的区别 |
| 型号： 23A640-I/P 品牌： 微芯 封装： 8PDIP 1000B 1.7V 8Pin | 类似代替 | RAM，Microchip | 23K640-E/P和23A640-I/P的区别 |