23K640-E/SN

Microchip(微芯) 电子元器件分类

64Kb 8Kx8 2.7V 串行SRAM

SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 SPI 20MHz 8-SOIC

得捷:
IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC

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23K640-E/SN

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静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 EXT

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SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-bit 8K x 8 32ns Automotive 8-Pin SOIC N Tube

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SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-bit 8K x 8 32ns Automotive 8-Pin SOIC N Tube

Win Source:
64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

23K640-E/SN中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间Max 32 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

23K640-E/SN引脚图与封装图

23K640-E/SN引脚图

23K640-E/SN封装图

23K640-E/SN封装焊盘图

在线购买23K640-E/SN

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23K640-E/SN	Microchip 微芯	64Kb 8Kx8 2.7V 串行SRAM	搜索库存

替代型号23K640-E/SN

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 23K640-E/SN 品牌： Microchip 微芯封装： SOIC-8	当前型号	64Kb 8Kx8 2.7V 串行SRAM	当前型号
型号： 23K640-E/ST 品牌：微芯封装： TSSOP	完全替代	64K SPI总线的低功耗串行SRAM 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	23K640-E/SN和23K640-E/ST的区别
型号： 23K640T-E/ST 品牌：微芯封装： TSSOP-8	完全替代	64K SPI总线的低功耗串行SRAM 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	23K640-E/SN和23K640T-E/ST的区别
型号： 23K640-I/SN 品牌：微芯封装： SOIC 8000B 2.7V 8Pin	类似代替	MICROCHIP 23K640-I/SN 芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, SOIC8	23K640-E/SN和23K640-I/SN的区别