额定电压DC 12.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 12 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AH
封装 DO-204AH
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5242B-T引脚图
1N5242B-T封装图
1N5242B-T封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5242B-T 品牌: Diodes 美台 封装: DO 12V | 当前型号 | DIODE ZENER 12V 500mW DO35 | 当前型号 | |
型号: 1N5242B-A 品牌: 美台 封装: DO-35 | 类似代替 | ZENER DIODE,DO-35,0.5W1/2W,12V,ROHS,10K | 1N5242B-T和1N5242B-A的区别 | |
型号: 1N5242BTR 品牌: 飞兆/仙童 封装: DO-35 12V | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5242BTR 单管二极管 齐纳, 1Nxxx系列, 12 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 1N5242B-T和1N5242BTR的区别 | |
型号: 1N5242B-TR 品牌: 威世 封装: DO-35 | 功能相似 | VISHAY 1N5242B-TR 齐纳二极管, 12V, 500mW | 1N5242B-T和1N5242B-TR的区别 |