锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1EDC20I12MHXUMA1

1EDC20I12MHXUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IGBT驱动器, 高压侧, 4.1A, 3.1V至17V电源, 300ns/300ns延迟, EiceDRIVER 1EDC系列, SOIC-8

Summary of Features:

.
Recognized under UL1577 with V ISO = 3000 V for 1 s
.
1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
.
2 A rail-to-rail outputs
.
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
.
Active Miller clamp

得捷:
IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP


e络盟:
IGBT驱动器, 高压侧, 4.1A, 3.1V至17V电源, 300ns/300ns延迟, EiceDRIVER 1EDC系列, SOIC-8


艾睿:
Driver 4.4A 1-OUT Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO EP T/R


安富利:
EiceDRIVER Single Channel IGBT Gate Driver IC with Clamp in Wide Body Package 2A PG-DSO-8-59 T/R


TME:
Driver; active Miller clamp, galvanically isolated; -2÷2A; 400mW


Verical:
Driver 4.4A 1-OUT Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO EP T/R


Win Source:
IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP / Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 1 Channel PG-DSO-8-59


1EDC20I12MHXUMA1中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 10ns, 9ns

输出接口数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 400 mW

隔离电压 2500 Vrms

下降时间Max 9 ns

上升时间Max 10 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 400 mW

电源电压Max 17 V

电源电压Min 3.1 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8-59

外形尺寸

封装 PG-DSO-8-59

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 EV-Charger, Telecommunications, Drives, Solar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1EDC20I12MHXUMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1EDC20I12MHXUMA1
型号 制造商 描述 购买
1EDC20I12MHXUMA1 Infineon 英飞凌 IGBT驱动器, 高压侧, 4.1A, 3.1V至17V电源, 300ns/300ns延迟, EiceDRIVER 1EDC系列, SOIC-8 搜索库存