1N5821-B
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
1N5821-B中文资料参数规格
技术参数
正向电压 500mV @3A
正向电流 3 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 80 A
正向电压Max 500mV @3A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AD
外形尺寸
长度 9.5 mm
宽度 5.3 mm
高度 5.3 mm
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 65℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5821-B引脚图与封装图 
1N5821-B引脚图
1N5821-B封装图
1N5821-B封装焊盘图
替代型号1N5821-B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5821-B 品牌： Diodes 美台 封装： DO201AD | 当前型号 | Diode Schottky 30V 3A 2Pin DO-201AD Bulk | 当前型号 |
| 型号： 1N5821G 品牌： 安森美 封装： DO-201AD 30V 3A 500mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 1N5821G. 肖特基整流器 | 1N5821-B和1N5821G的区别 |
| 型号： 1N5821-TP 品牌： 美微科 封装： DO-201AD | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1Element, 3A, 30V VRRM, Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 1N5821-B和1N5821-TP的区别 |
| 型号： 1N5821-BP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1Element, 3A, 30V VRRM, Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 1N5821-B和1N5821-BP的区别 |