1N5257B-T

Diodes(美台) 分立器件

ZENER DIODE DO-35 0.5W1/2W 33V ROHS 10K

- 齐纳 33 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

得捷:
DIODE ZENER 33V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

1N5257B-T中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 33.0 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 3.8 mA

稳压值 33 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1N5257B-T引脚图与封装图

1N5257B-T引脚图

1N5257B-T封装图

1N5257B-T封装焊盘图

在线购买1N5257B-T

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1N5257B-T	Diodes 美台	ZENER DIODE DO-35 0.5W1/2W 33V ROHS 10K	搜索库存

替代型号1N5257B-T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5257B-T 品牌： Diodes 美台封装： DO-35 33V	当前型号	ZENER DIODE DO-35 0.5W1/2W 33V ROHS 10K	当前型号
型号： 1N5257BTR 品牌：飞兆/仙童封装： DO-35 33V	功能相似	500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor	1N5257B-T和1N5257BTR的区别
型号： 1N5257B-TR 品牌：威世封装： DO-35 33V	功能相似	VISHAY 1N5257B-TR 齐纳二极管, 500mW, 33V, DO-35	1N5257B-T和1N5257B-TR的区别
型号： 1N5257B-TP 品牌：美微科封装： DO-35 33V	功能相似	DO-35 33V 0.5W1/2W	1N5257B-T和1N5257B-TP的区别