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1N5299-1E3

1N5299-1E3

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 电子元器件分类
1N5299-1E3中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

引脚数 2

封装 DO-7

外形尺寸

封装 DO-7

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

1N5299-1E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1N5299-1E3 Microsemi 美高森美 Current Regulator Diode, 1.2mA IS, 1.45V VL, Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 搜索库存
替代型号1N5299-1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N5299-1E3

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

Current Regulator Diode, 1.2mA IS, 1.45V VL, Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

当前型号

型号: JANTX1N5299-1

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

Diode Current Reg. 100V 1.32mA 0.5W1/2W 2Pin DO-7

1N5299-1E3和JANTX1N5299-1的区别

型号: 1N5299

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

高可靠性电流调节二极管 HIGH RELIABILITY CURRENT REGULATOR DIODES

1N5299-1E3和1N5299的区别