1N935BE3
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
1N935BE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
测试电流 7.5 mA
稳压值 9 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
1N935BE3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N935BE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N935BE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Diode Zener Single 9V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 | 当前型号 |
| 型号： 1N935B-1 品牌： 美高森美 封装： DO-7 | 功能相似 | DO-7 9V 0.5W1/2W | 1N935BE3和1N935B-1的区别 |
| 型号： RH935B 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-7 9V 0.5W1/2W | 1N935BE3和RH935B的区别 |
| 型号： RH935B-1 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-7 9V 0.5W1/2W | 1N935BE3和RH935B-1的区别 |