1N4531,143
数据手册.pdfNexperia(安世)
电子元器件分类
1N4531,143中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @10mA
耗散功率 500 mW
反向恢复时间 4 ns
工作结温 200℃ Max
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AG
外形尺寸
封装 DO-204AG
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
1N4531,143引脚图与封装图
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在线购买1N4531,143
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4531,143 | Nexperia 安世 | DIODE GEN PURP 75V 200mA DO34 | 搜索库存 |
替代型号1N4531,143
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4531,143 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | DIODE GEN PURP 75V 200mA DO34 | 当前型号 |
| 型号： 1N4531,113 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | DIODE GEN PURP 75V 200mA DO34 | 1N4531,143和1N4531,113的区别 |
| 型号： 1N4531,133 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | DIODE GEN PURP 75V 200mA DO35 | 1N4531,143和1N4531,133的区别 |