1N969B-1E3/TR
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
1N969B-1E3/TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5.6 mA
稳压值 22 V
正向电压Max 1.1 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
引脚数 2
封装 DO-204AH
外形尺寸
封装 DO-204AH
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N969B-1E3/TR引脚图与封装图
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在线购买1N969B-1E3/TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N969B-1E3/TR | Microsemi 美高森美 | Diode Zener Single 22V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N969B-1E3/TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N969B-1E3/TR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Diode Zener Single 22V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
| 型号： JAN1N969B-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35-2 | 完全替代 | 硅500 mW的稳压二极管 Silicon 500 mW Zener Diodes | 1N969B-1E3/TR和JAN1N969B-1的区别 |
| 型号： 1N969B 品牌： 美高森美 封装： DO-204 | 完全替代 | 硅500 mW的稳压二极管 SILICON 500 mW ZENER DIODES | 1N969B-1E3/TR和1N969B的区别 |
| 型号： 1N968B 品牌： 美高森美 封装： DO-204AA | 功能相似 | 冶金结合 METALLURGICALLY BONDED | 1N969B-1E3/TR和1N968B的区别 |