1N6385HE3_A/C中文资料参数规格
技术参数
工作电压 15 V
击穿电压 17.6 V
耗散功率 6.5 W
钳位电压 21.4 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 17.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201-2
外形尺寸
封装 DO-201-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N6385HE3_A/C引脚图与封装图
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在线购买1N6385HE3_A/C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6385HE3_A/C | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KE,15V 10%,Bidir AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
替代型号1N6385HE3_A/C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6385HE3_A/C 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KE,15V 10%,Bidir AEC-Q101 Qualified | 当前型号 |
| 型号： 1N6385-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向双向 1500W，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 1N6385HE3_A/C和1N6385-E3/54的区别 |
| 型号： ICTE15C-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R | 1N6385HE3_A/C和ICTE15C-E3/54的区别 |
| 型号： ICTE15CHE3_A/C 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Tvs Diode 15vwm 21.4vc 1.5ke | 1N6385HE3_A/C和ICTE15CHE3_A/C的区别 |