1N6485US
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N6485US中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1 V
耗散功率 1.5 W
稳压值 3.3 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 D-5A-2
外形尺寸
长度 5.08 mm
封装 D-5A-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
1N6485US引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N6485US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6485US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： D-5A-2 | 当前型号 | 1.5瓦齐纳二极管 1.5 WATT ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N4760A 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Zener Diode 68V 5% 1W Do-41 Case | 1N6485US和1N4760A的区别 |
| 型号： 1N4760 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 68V VZ, 10%, 1W, | 1N6485US和1N4760的区别 |
| 型号： 3EZ68 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 68V VZ, 5.9%, 3W, | 1N6485US和3EZ68的区别 |
