1N5314
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
1N5314中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N5314引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5314
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5314 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 稳流二极管 CURRENT REGULATOR DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N5314-1E3 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Diode Current Reg. 100V 5.17mA 0.5W1/2W 2Pin DO-7 | 1N5314和1N5314-1E3的区别 |
| 型号： JANTX1N5314 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Current Regulator Diode, 4.7mA IS, 2.9V VL, Silicon, DO-204AA | 1N5314和JANTX1N5314的区别 |
| 型号： JAN1N5314-1 品牌： M/A-Com 封装： | 功能相似 | Diode Current Reg. 100V 5.17mA 0.5W1/2W 2Pin DO-7 | 1N5314和JAN1N5314-1的区别 |