工作电压 12 V
击穿电压 14.1 V
耗散功率 6.5 W
钳位电压 16.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 14.1 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 DO-201-2
封装 DO-201-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N6376HE3_A/C | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KE,12V 10%,Unidir AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N6376HE3_A/C 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KE,12V 10%,Unidir AEC-Q101 Qualified | 当前型号 | |
型号: ICTE12HE3_A/C 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,12V 10% AEC-Q101 Qualified | 1N6376HE3_A/C和ICTE12HE3_A/C的区别 | |
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型号: 1N6376-E3/54 品牌: 威世 封装: DO-201AA | 类似代替 | VISHAY 1N6376-E3/54 TVS Diode, TRANSZORB Series, Unidirectional, 12V, 16.5V, DO-201AA, 2Pins | 1N6376HE3_A/C和1N6376-E3/54的区别 |