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1N4120

低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS

PER MIL-PRF-19500/435

LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A

LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage at 200 mA: 1.1 Volts maximum


艾睿:
Diode Zener Single 30V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag


1N4120中文资料参数规格
技术参数

测试电流 0.25 mA

稳压值 30 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

1N4120引脚图与封装图
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型号: 1N4120

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

当前型号

型号: 1N4120-1

品牌: M/A-Com

封装:

功能相似

DO-35 30V 0.5W1/2W

1N4120和1N4120-1的区别

型号: 1N4120C-1

品牌: M/A-Com

封装:

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