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1N4106

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum


艾睿:
Diode Zener Single 12V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag


TME:
Diode: Zener; 400mW; 12V; Package: tape; DO35; 50nA


Verical:
Zener Diode Single 12V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


1N4106中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 400 mW

测试电流 0.25 mA

稳压值 12 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

1N4106引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1N4106 Microsemi 美高森美 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES 搜索库存
替代型号1N4106
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N4106

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N4106D-1

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

Diode Zener Single 12V 1% 0.5W1/2W 2Pin DO-35

1N4106和1N4106D-1的区别