![1N5230B-T](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_499/chanpintu/1n5230b-t-NLJfMHGi-0q33AzXkq.png)
额定电压DC 4.70 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 4.7 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5230B-T | Vishay Semiconductor 威世 | 1N5230B Series 0.5W1/2W 4.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5230B-T 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-35 4.7V | 当前型号 | 1N5230B Series 0.5W1/2W 4.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35 | 当前型号 | |
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