1N4101-1

Microsemi 美高森美分立器件

Diode Zener Single 8.2V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35

1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS

PER MIL-PRF-19500/435

LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A

LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage at 200 mA: 1.1 Volts maximum

艾睿:
Diode Zener Single 8.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag

Verical:
Zener Diode Single 8.2V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag

1N4101-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

测试电流 0.25 mA

稳压值 8.2 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

1N4101-1引脚图与封装图

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1N4101-1	Microsemi 美高森美	Diode Zener Single 8.2V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35	搜索库存

替代型号1N4101-1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N4101-1 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-35	当前型号	Diode Zener Single 8.2V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35	当前型号
型号： 1N4101 品牌：美高森美封装： DO-35	类似代替	低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS	1N4101-1和1N4101的区别
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