1N1192A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
1N1192A中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
封装 DO-203AB-2
外形尺寸
封装 DO-203AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
1N1192A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N1192A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N1192A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER | 当前型号 |
| 型号： JAN1N1184 品牌： 美高森美 封装： DO-5 | 完全替代 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 1N1192A和JAN1N1184的区别 |
| 型号： 1N1184 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： DO-203AB | 功能相似 | 整流器 100V 35A Std. Recovery | 1N1192A和1N1184的区别 |
| 型号： JANTX1N1184 品牌： 美高森美 封装： DO-5 | 功能相似 | 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier | 1N1192A和JANTX1N1184的区别 |
