1N6170
数据手册.pdf
Semtech Corporation
分立器件
1N6170中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1500 W
击穿电压 142.5 V
钳位电压 216.2 V
最小反向击穿电压 135 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.7 mm
封装 Axial
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
1N6170引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N6170
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6170 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5kW 2Pin | 当前型号 |
| 型号： JAN1N6170 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 完全替代 | T DAP BI 1500W 135V ; HT SUSA CODE:8504409570 | 1N6170和JAN1N6170的区别 |
| 型号： JANTX1N6170 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 完全替代 | T MET BI 1500W ; HT SUSA CODE:8504409570 | 1N6170和JANTX1N6170的区别 |
| 型号： JANTXV1N6170 品牌： Semtech Corporation 封装： Axial | 完全替代 | T MET BI 1500W ; HT SUSA CODE:8504409570 | 1N6170和JANTXV1N6170的区别 |
