1N4752A-T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 33.0 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
输出电流 ≤3.30 A
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
稳压值 33 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-41
外形尺寸
封装 DO-41
物理参数
材质 Glass
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N4752A-T引脚图与封装图
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在线购买1N4752A-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4752A-T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 33V 5% 1W 2Pin DO-41 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N4752A-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4752A-T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-41 33V | 当前型号 | Diode Zener Single 33V 5% 1W 2Pin DO-41 T/R | 当前型号 |
| 型号： 1N4752ATR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-204 33V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4752ATR 齐纳二极管, VZ:27V | 1N4752A-T和1N4752ATR的区别 |
| 型号： 1N4752A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-41 33V 33V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4752A.. 齐纳二极管 | 1N4752A-T和1N4752A的区别 |
| 型号： 1N4752A-TP 品牌： 美微科 封装： DO35 33V | 类似代替 | DO-41G 33V 1W | 1N4752A-T和1N4752A-TP的区别 |