1N5256B-T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
稳压值 30 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5256B-T引脚图与封装图
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在线购买1N5256B-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5256B-T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 30V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N5256B-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5256B-T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-35 30V | 当前型号 | Diode Zener Single 30V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 当前型号 |
| 型号： 1N5256BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 30V | 功能相似 | 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 1N5256B-T和1N5256BTR的区别 |
| 型号： 1N5256B-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 功能相似 | 500mW，1N52xx 系列，Vishay Semiconductor### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 1N5256B-T和1N5256B-TR的区别 |
| 型号： 1N6011B-TP 品牌： 美微科 封装： DO-204AH | 功能相似 | DO-35 30V 0.5W1/2W | 1N5256B-T和1N6011B-TP的区别 |