1N4737A-T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 7.50 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
输出电流 ≤750 mA
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 34 mA
稳压值 7.5 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-41
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 2.71 mm
高度 2.71 mm
封装 DO-41
物理参数
材质 Glass
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N4737A-T引脚图与封装图
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在线购买1N4737A-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4737A-T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 7.5V 5% 1W 2Pin DO-41 T/R | 搜索库存 |
替代型号1N4737A-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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