1N5235B-T

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

1N5235B Series 0.5W1/2W 6.8V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

Features

● 500mW Power Dissipation

● High Stability

● Surface Mount Equivalents Available

● Hermetic Package

● VZ - Tolerance ±5%

● Lead Free Finish, RoHS Compliant Note 2

得捷:
DIODE ZENER 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 6.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

富昌:
1N5235B Series 500 mW 6.8 V 200 mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

Verical:
Diode Zener Single 6.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

AMEYA360:
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

1N5235B-T中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 6.80 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

稳压值 6.8 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AH

外形尺寸

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1N5235B-T引脚图与封装图

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1N5235B-T	Vishay Semiconductor 威世	1N5235B Series 0.5W1/2W 6.8V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35	搜索库存

替代型号1N5235B-T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5235B-T 品牌： Vishay Semiconductor 威世封装： DO 6.8V	当前型号	1N5235B Series 0.5W1/2W 6.8V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35	当前型号
型号： 1N5235B-TP 品牌：美微科封装： DO-35 6.8V	类似代替	稳压二极管 500mW 6.8V 750 Ohm 3 uA 5 Vr	1N5235B-T和1N5235B-TP的区别
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型号： 1N5235B-TR 品牌：威世封装： DO-35 6.8V	功能相似	VISHAY 1N5235B-TR 齐纳二极管, 500mW, 6.8V, DO-35	1N5235B-T和1N5235B-TR的区别