1N4108UR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
1N4108UR-1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1 V
耗散功率 500 mW
测试电流 0.25 mA
稳压值 14 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N4108UR-1引脚图与封装图
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在线购买1N4108UR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4108UR-1 | Microsemi 美高森美 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号1N4108UR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4108UR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JAN1N4108UR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA | 类似代替 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | 1N4108UR-1和JAN1N4108UR-1的区别 |
