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1EDI20N12AF

1EDI20N12AF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IGBTDr 1200V 2A DSO-8-51 SMD

Summary of Features:

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Separate source/sink output Vsupply: 35V
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Iout: 2A @ 15V
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1200V Coreless Transformer IC with galvanic isolation
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Prop. delay <105ns with 40ns input filter time
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High CMTI robustness >100kV/µs
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Separate source/sink output
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Small package DSO-8 150mil

Benefits:

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Tailored for all 650V CoolMOS™ C7, P6 and other super junction MOS transistors
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High switching frequency applications as SMPS, up to 4MHz
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Tune turn-off vs. turn-on
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High reliability @ small footprint
1EDI20N12AF中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

下降时间Max 19 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PC Power, icon_telecom_50x50, Solar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

1EDI20N12AF引脚图与封装图
1EDI20N12AF电路图

1EDI20N12AF电路图

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1EDI20N12AF Infineon 英飞凌 IGBTDr 1200V 2A DSO-8-51 SMD 搜索库存