1214-150L

Microsemi(美高森美) 分立器件

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, 55ST-1, 2Pin

RF NPN 65V 15A 1.2GHz ~ 1.4GHz 320W 底座安装 55ST-1

得捷:
RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1

艾睿:
RF POWER TRANSISTOR

1214-150L中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 7.15dB ~ 8.7dB

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 5V

额定功率Max 320 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 55ST-1

外形尺寸

封装 55ST-1

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

1214-150L引脚图与封装图

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1214-150L	Microsemi 美高森美	RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, 55ST-1, 2Pin	搜索库存