1EDI2002ASXUMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
上升/下降时间 30ns, 60ns
通道数 1
耗散功率 170 mW
隔离电压 3750 Vrms
耗散功率Max 170 mW
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-36
封装 PG-DSO-36
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Hybrid Electrical Vehicles, Drives, Commercial and Agriculture Vehicles
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1EDI2002ASXUMA2电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1EDI2002ASXUMA2 | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 1A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 36Pin DSO T/R | 搜索库存 |