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1210R-221K

1210R-221K

数据手册.pdf
API Delevan 被动器件

Ind RF Unshielded Wirewound 220nH 10% 25MHz 30Q-Factor Iron 805mA 1210 T/R

220 nH 无屏蔽 器 805 mA 320 毫欧最大 1210(3225 公制)


得捷:
FIXED IND 220NH 805MA 320MOHM SM


艾睿:
Inductor RF Unshielded Wirewound 220nH 10% 25MHz 30Q-Factor Iron 805mA 320mOhm DCR 1210 T/R


1210R-221K中文资料参数规格
技术参数

额定电流 805 mA

容差 ±10 %

电感 220 nH

自谐频率 350 MHz

屏蔽 No

测试频率 25 MHz

电阻DC) ≤320 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 320 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.26 mm

宽度 2.42 mm

高度 2.57 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1210R-221K引脚图与封装图
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在线购买1210R-221K
型号 制造商 描述 购买
1210R-221K API Delevan Ind RF Unshielded Wirewound 220nH 10% 25MHz 30Q-Factor Iron 805mA 1210 T/R 搜索库存
替代型号1210R-221K
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1210R-221K

品牌: API Delevan

封装: 1210 220nH 350MHz

当前型号

Ind RF Unshielded Wirewound 220nH 10% 25MHz 30Q-Factor Iron 805mA 1210 T/R

当前型号

型号: 1210-221K

品牌: API Delevan

封装: 1210 220nH 350MHz

完全替代

Fixed Ind 220nH 805mA 320Mohm

1210R-221K和1210-221K的区别

型号: ELJ-FAR22MF2

品牌: 松下

封装: 1210 220nH 230MHz

功能相似

Inductor General Purpose Chip Molded Wirewound 220nH 20% 25.2MHz 25Q-Factor Ferrite 360mA 290mOhm DCR 1210 T/R

1210R-221K和ELJ-FAR22MF2的区别

型号: ELJ-FAR22KF2

品牌: 松下

封装: 1210 220nH 230MHz 360mA

功能相似

Inductor General Purpose Chip Molded Wirewound 220nH 10% 25.2MHz 25Q-Factor Ferrite 360mA 290mOhm DCR 1210 T/R

1210R-221K和ELJ-FAR22KF2的区别