1MBI600V-120-50
数据手册.pdf
FUJI
富士电机
分立器件
极性 N-Channel
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Panel
引脚数 4
封装 M153
长度 108 mm
宽度 62 mm
高度 36 mm
封装 M153
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1MBI600V-120-50 | FUJI 富士电机 | IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1MBI600V-120-50 品牌: FUJI 富士电机 封装: M153 | 当前型号 | IGBT 模块,1 个装,Fuji ElectricV - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 当前型号 | |
型号: 1MBI600PX-120 品牌: 富士电机 封装: | 功能相似 | IGBT Power Transistor Modules | 1MBI600V-120-50和1MBI600PX-120的区别 |