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1MBI600V-120-50

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FUJI 富士电机 分立器件

IGBT 模块,1 个装,Fuji ElectricV - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric

V - 系列,第 6 代现场挡块

U/U4 系列,第 5 代现场挡块

HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT


欧时:
Fuji Electric 1MBi600V-120-50 N通道 IGBT 模块, 600 A, Vce=1200 V, 4引脚 M153封装


1MBI600V-120-50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Panel

引脚数 4

封装 M153

外形尺寸

长度 108 mm

宽度 62 mm

高度 36 mm

封装 M153

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

1MBI600V-120-50引脚图与封装图
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1MBI600V-120-50 FUJI 富士电机 IGBT 模块,1 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存
替代型号1MBI600V-120-50
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1MBI600V-120-50

品牌: FUJI 富士电机

封装: M153

当前型号

IGBT 模块,1 个装,Fuji ElectricV - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 HH 系列,平面 - NPT 高速斩波器 IGBT ### IGBT 分立件和模块,Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

当前型号

型号: 1MBI600PX-120

品牌: 富士电机

封装:

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IGBT Power Transistor Modules

1MBI600V-120-50和1MBI600PX-120的区别