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1EDI20N12AFXUMA1

1EDI20N12AFXUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

INFINEON  1EDI20N12AFXUMA1  MOSFET Driver, 3.5V-15V supply, 4A output, DSO-8 新

\- 栅极驱动器 磁耦合 通道 PG-DSO-8


欧时:
MOSFET & GaN HEMT Gate Driver 0.5A SOIC8


得捷:
IC IGBT DVR 1200V DSO8


立创商城:
1EDI20N12AFXUMA1


e络盟:
MOSFET Driver, 3.5V-15V supply, 4A output, DSO-8


艾睿:
Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin DSO T/R


安富利:
MOSFET DRVR 2A 1-OUT Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R


富昌:
1EDI20N12AF Series 35 V 3.5 A Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC


Verical:
Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin DSO T/R


Newark:
# INFINEON  1EDI20N12AFXUMA1  MOSFET DRIVER, INV/NON-INV, 4A, DSO-8


1EDI20N12AFXUMA1中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.50V min

上升/下降时间 10ns, 9ns

输出接口数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 400 mW

静态电流 1.2 mA

上升时间 10 ns

下降时间 9 ns

下降时间Max 19 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 400 mW

电源电压Max 15 V

电源电压Min 3.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8-51

外形尺寸

宽度 3.9 mm

封装 PG-DSO-8-51

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 PC Power, icon_telecom_50x50, Solar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

1EDI20N12AFXUMA1引脚图与封装图
1EDI20N12AFXUMA1电路图

1EDI20N12AFXUMA1电路图

在线购买1EDI20N12AFXUMA1
型号 制造商 描述 购买
1EDI20N12AFXUMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  1EDI20N12AFXUMA1  MOSFET Driver, 3.5V-15V supply, 4A output, DSO-8 新 搜索库存
替代型号1EDI20N12AFXUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1EDI20N12AFXUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DSO 3.5V

当前型号

INFINEON  1EDI20N12AFXUMA1  MOSFET Driver, 3.5V-15V supply, 4A output, DSO-8 新

当前型号

型号: IRS21850SPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC 10V

功能相似

INFINEON  IRS21850SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-8

1EDI20N12AFXUMA1和IRS21850SPBF的区别