1N4737A,113
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 34 mA
稳压值 7.5 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
封装 DO-41
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
1N4737A,113 | NXP 恩智浦 | DO-41 7.5V 1W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 1N4737A,113 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO41 | 当前型号 | DO-41 7.5V 1W | 当前型号 | |
型号: 1N4737ATR 品牌: 飞兆/仙童 封装: DO-204 7.5V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4737ATR 齐纳二极管, VZ:7.5V | 1N4737A,113和1N4737ATR的区别 |