1N5349BE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5349BE3中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @1A
稳压值 12 V
正向电压Max 1.2V @1A
额定功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5349BE3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5349BE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5349BE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | DIODE ZENER 12V 5W T18 | 当前型号 |
| 型号： 1N5349B 品牌： 美高森美 封装： Case | 完全替代 | 硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES | 1N5349BE3和1N5349B的区别 |
| 型号： 1N5349BE3/TR13 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Diode Zener Single 12V 5% 5W 2Pin Case T-18 T/R | 1N5349BE3和1N5349BE3/TR13的区别 |
| 型号： 1N5349BE3/TR8 品牌： 美高森美 封装： T-18-2 | 类似代替 | DIODE ZENER 5W 12V 5% T-18 | 1N5349BE3和1N5349BE3/TR8的区别 |
