1N5233BDO35E3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5233BDO35E3中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.5V @200mA
稳压值 6 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5233BDO35E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N5233BDO35E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5233BDO35E3 | Microsemi 美高森美 | DIODE ZENER 6V 0.5W1/2W DO35 | 搜索库存 |
替代型号1N5233BDO35E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5233BDO35E3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | DIODE ZENER 6V 0.5W1/2W DO35 | 当前型号 |
| 型号： 1N5233BDO35 品牌： 美高森美 封装： DO-35 6V | 完全替代 | Diode Zener 6V 0.5W1/2W Do35 | 1N5233BDO35E3和1N5233BDO35的区别 |