1N5334BE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5334BE3中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.2V @1A
耗散功率 5 W
稳压值 3.6 V
正向电压Max 1.2V @1A
额定功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5334BE3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5334BE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5334BE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 | 当前型号 | 3.6V 5W | 当前型号 |
| 型号： 1N5334B 品牌： 美高森美 封装： T-18 3.6V | 完全替代 | 硅5瓦齐纳二极管 Silicon 5 Watt Zener Diodes | 1N5334BE3和1N5334B的区别 |
| 型号： 1N5334BE3/TR13 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | DIODE ZENER 5W 3.6V 5% T-18 | 1N5334BE3和1N5334BE3/TR13的区别 |