1N5234BDO35
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5234BDO35中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.20 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.5V @200mA
稳压值 6.2 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
材质 Glass
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N5234BDO35引脚图与封装图
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在线购买1N5234BDO35
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5234BDO35 | Microsemi 美高森美 | DIODE ZENER 6.2V 0.5W1/2W DO35 | 搜索库存 |
替代型号1N5234BDO35
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5234BDO35 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 6.2V | 当前型号 | DIODE ZENER 6.2V 0.5W1/2W DO35 | 当前型号 |
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