1N4781

Microsemi(美高森美) 分立器件

8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

• 8.5 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE ± 5%

• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

• LOW CURRENT RANGE: 0.5 AND 1.0 mA

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

贸泽:
Zener Diodes Temperature Compensated

1N4781中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

稳压值 8.5 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 0℃ ~ 75℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

1N4781引脚图与封装图

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1N4781	Microsemi 美高森美	8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	搜索库存

替代型号1N4781

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N4781 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-35	当前型号	8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	当前型号
型号： 1N4779 品牌：美高森美封装： DO-35	完全替代	8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	1N4781和1N4779的区别
型号： 1N4784 品牌：美高森美封装： DO-35	完全替代	8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	1N4781和1N4784的区别
型号： 1N4775 品牌：美高森美封装： DO-35	类似代替	8.5 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	1N4781和1N4775的区别