1N4773
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N4773中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 0℃ ~ 75℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N4773引脚图与封装图
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在线购买1N4773
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4773 | Microsemi 美高森美 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 搜索库存 |
替代型号1N4773
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4773 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 当前型号 |
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