1N4926
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N4926中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
耗散功率 500 mW
稳压值 19.2 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 100℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N4926引脚图与封装图
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在线购买1N4926
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4926 | Microsemi 美高森美 | 19.2 VOLT低噪声温度补偿齐纳二极管基准二极管 19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 搜索库存 |
替代型号1N4926
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4926 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 19.2 VOLT低噪声温度补偿齐纳二极管基准二极管 19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N4919 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | 19.2 VOLT低噪声温度补偿齐纳二极管基准二极管 19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 1N4926和1N4919的区别 |
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