容差 ±5 %
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
工作温度 0℃ ~ 75℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
1N4766 | Microsemi 美高森美 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 1N4766 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-35 | 当前型号 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 当前型号 | |
型号: 1N4765 品牌: 美高森美 封装: DO-35 | 完全替代 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 1N4766和1N4765的区别 | |
型号: 1N4769 品牌: 美高森美 封装: DO-35 | 完全替代 | 9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | 1N4766和1N4769的区别 |